（1）在階段,利用引上法晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整。（2）在第二階段,利用數(shù)值模擬是用來(lái)確定佳的晶體生長(zhǎng)工藝參數(shù)。數(shù)值仿真是用來(lái)獲得廉價(jià)的，完整的和全面細(xì)節(jié)的結(jié)晶過(guò)程，以此方法用來(lái)預(yù)測(cè)晶體生長(zhǎng),改善晶體生長(zhǎng)技術(shù)。數(shù)值模擬是當(dāng)實(shí)驗(yàn)的費(fèi)用太昂貴或無(wú)法常規(guī)進(jìn)行時(shí)一種非常有用或的方法。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于無(wú)經(jīng)驗(yàn)人員，可以形象化展示熔體流動(dòng)的歷史點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力細(xì)節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達(dá)到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場(chǎng)對(duì)晶體直徑，質(zhì)量要求的好辦法。面向過(guò)程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過(guò)有效的計(jì)算機(jī)模擬可以設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作流程。通過(guò)對(duì)單晶爐熱場(chǎng)的仿真計(jì)算，優(yōu)化設(shè)計(jì)單晶爐的機(jī)械結(jié)構(gòu)，在拉晶過(guò)程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線，就可以在實(shí)際生產(chǎn)中是完全可以生長(zhǎng)出合格的單晶棒。

數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗(yàn)。由于數(shù)值模擬提供了一個(gè)近似真實(shí)的過(guò)程，利用這一技術(shù)可以很容易的對(duì)任何類型的變化（幾何尺寸、保溫材料、加熱器、外圍環(huán)境等）對(duì)晶體質(zhì)量的影響做出容易的判斷。數(shù)值仿真是用來(lái)獲得廉價(jià)的，完整的和全面細(xì)節(jié)的結(jié)晶過(guò)程，以此方法用來(lái)預(yù)測(cè)晶體生長(zhǎng),改善晶體生長(zhǎng)技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于無(wú)經(jīng)驗(yàn)人員，可以形象化展示熔體流動(dòng)的歷史點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力細(xì)節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達(dá)到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場(chǎng)對(duì)晶體直徑，質(zhì)量要求的好辦法。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足，提供一種類單晶硅鑄錠爐，解決現(xiàn)有技術(shù)在制作類單晶硅錠的過(guò)程中，所具有的無(wú)法控制溫場(chǎng)分布以及無(wú)法控制熱量定向傳遞的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種類單晶硅鑄錠爐，包括爐體，爐體內(nèi)設(shè)置有一個(gè)隔熱籠體，所述的隔熱籠體中設(shè)置有一個(gè)熱交換臺(tái)，熱交換臺(tái)上放置有一個(gè)石英坩堝，所述的石英坩堝的上面、下面以及四周分別分布頂部加熱器、底部加熱器和側(cè)面加熱器，熱交換臺(tái)的下端還設(shè)置有一個(gè)水冷盤(pán)，水冷盤(pán)通過(guò)管道連接外部